Numer produktu producenta:
SI7852ADP-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7852ADP-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
5291 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12911717
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7852ADP-T1-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1825 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SI7852
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7852ADP-T1-E3-DG
Q5367467
SI7852ADP-T1-E3TR
SI7852ADPT1E3
SI7852ADP-T1-E3DKR
T1229935
SI7852ADP-T1-E3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7820DN-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
IRL620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
IRFPS38N60L
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
