SI7454FDP-T1-RE3
Numer produktu producenta:

SI7454FDP-T1-RE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SI7454FDP-T1-RE3-DG

Opis:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Magazyn:

10925 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988150
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SI7454FDP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
29.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1110 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
742-SI7454FDP-T1-RE3DKR
742-SI7454FDP-T1-RE3TR
742-SI7454FDP-T1-RE3CT
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIHK045N60EF-T1GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

goford-semiconductor

G400P06S

MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10E80W,S1X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A80E,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-