Numer produktu producenta:
SI7366DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7366DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 13A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12914305
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7366DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SI7366
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7366DPT1GE3
SI7366DP-T1-GE3TR
SI7366DP-T1-GE3DKR
SI7366DP-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STL65N3LLH5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3727
NUMER CZĘŚCI
STL65N3LLH5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.67
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SIR424DP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
SIR424DP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.32
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR9214
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
SI7850ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
IXFX52N60Q2
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3
