Numer produktu producenta:
SI7111EDN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7111EDN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
11694 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12914180
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7111EDN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen III
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 2.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5860 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SI7111
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7111EDN-T1-GE3DKR
SI7111EDN-T1-GE3TR
SI7111EDN-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFX48N60P
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
SI8435DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
IRFL210
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
