Numer produktu producenta:
SI4914BDY-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12915777
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI4914BDY-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
LITTLE FOOT®
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.4A, 8A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
2.7W, 3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
SI4914
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI4914BDY-T1-GE3CT
SI4914BDY-T1-GE3DKR
SI4914BDYT1GE3
SI4914BDY-T1-GE3TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SI4816BDY-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SI4816BDY-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SH8K4TB1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2436
NUMER CZĘŚCI
SH8K4TB1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.73
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
