SI4431BDY-T1-E3
Numer produktu producenta:

SI4431BDY-T1-E3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SI4431BDY-T1-E3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Magazyn:

40478 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12915250
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SI4431BDY-T1-E3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
SI4431

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SI4431BDY-T1-E3DKR
SI4431BDY-T1-E3CT
SI4431BDY-T1-E3TR
SI4431BDYT1E3
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SI4411DY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

vishay-siliconix

IRFPS43N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247

vishay-siliconix

IRFR010

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay-siliconix

SI4488DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO