Numer produktu producenta:
SI4425FDY-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI4425FDY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12584 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12914494
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI4425FDY-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+16V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1620 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
SI4425
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI4425FDY-T1-GE3TR
SI4425FDY-T1-GE3DKR
SI4425FDY-T1-GE3CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFP340PBF
MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
SI6469DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
IRLL014
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
