Numer produktu producenta:
SI2312CDS-T1-BE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI2312CDS-T1-BE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
12977897
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI2312CDS-T1-BE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
865 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SI2312CDS-T1-BE3CT
742-SI2312CDS-T1-BE3TR
742-SI2312CDS-T1-BE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHP11N80E-BE3
N-CHANNEL 800V
SIRC16DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
SIHL620STRL-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V