Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SI1039X-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI1039X-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12914807
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI1039X-T1-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
870mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
170mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-89 (SOT-563F)
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Podstawowy numer produktu
SI1039
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SI1039X-T1-E3
Karta danych HTML
SI1039X-T1-E3-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI1039X-T1-E3TR
SI1039XT1E3
SI1039X-T1-E3CT
SI1039X-T1-E3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR9310TRRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247