Numer produktu producenta:
IRLZ14SPBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRLZ14SPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
2054 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12912058
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRLZ14SPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IRLZ14
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRLZ14SPBFCT
IRLZ14SPBFCT-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI1304BDL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
IXTH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247
