Numer produktu producenta:
IRLI620G
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRLI620G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12910766
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRLI620G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Podstawowy numer produktu
IRLI620
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRLI620G
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RCX081N20
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
147
NUMER CZĘŚCI
RCX081N20-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.38
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
IXTP300N04T2
MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB
IRF9Z24STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK