Numer produktu producenta:
IRL630STRLPBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRL630STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12913102
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRL630STRLPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IRL630
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRL630STRLPBFTR
IRL630STRLPBFDKR
IRL630STRLPBFCT
IRL630STRLPBF-DG
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RCJ120N20TL
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
33
NUMER CZĘŚCI
RCJ120N20TL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.44
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI4858DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
