Numer produktu producenta:
IRFD9014PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRFD9014PBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Magazyn:
8447 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12912428
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFD9014PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
4-HVMDIP
Pakiet / Walizka
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Podstawowy numer produktu
IRFD9014
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRFD9014PBF
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFP22N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
IRFP140PBF
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
IRFSL31N20DTRR
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
