Numer produktu producenta:
IRFD214PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRFD214PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Magazyn:
12909204
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFD214PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
450mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
4-HVMDIP
Pakiet / Walizka
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Podstawowy numer produktu
IRFD214
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRFD214PBF
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFK25N90
MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA
IRLR014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRLI630G
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3