Numer produktu producenta:
IRFBC30PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRFBC30PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
17159 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12907402
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFBC30PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRFBC30
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRFBC30PBF
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRL620STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
IRFZ24
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
IRF9510
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
