Numer produktu producenta:
IRF9Z34PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRF9Z34PBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
1262 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12923859
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF9Z34PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRF9Z34
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRF9Z34PBF
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JAN2N6796U
MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
HUF75852G3
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
NVMFS5885NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN
