Numer produktu producenta:
2N6660-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
2N6660-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)
Magazyn:
12910499
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N6660-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
990mA (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-205AD (TO-39)
Pakiet / Walizka
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Podstawowy numer produktu
2N6660
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
100
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFP350LCPBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
IRL520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
