SI2307A
Numer produktu producenta:

SI2307A

Product Overview

Producent:

UMW

Numer części:

SI2307A-DG

Opis:

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

Magazyn:

2792 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12991424
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SI2307A Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
UMW
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
UMW
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
565 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
4518-SI2307ADKR
4518-SI2307ATR
4518-SI2307ACT
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
utd-semiconductor

AO3416A

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

utd-semiconductor

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET