FDN338P
Numer produktu producenta:

FDN338P

Product Overview

Producent:

UMW

Numer części:

FDN338P-DG

Opis:

20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Magazyn:

178 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988939
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDN338P Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
UMW
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
UMW
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
405 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
4518-FDN338PDKR
UMW FDN338P
4518-UMWFDN338PTR-DG
4518-UMWFDN338PTR
4518-FDN338PTR
4518-FDN338PCT
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
utd-semiconductor

STD30NF06L

TO-252 MOSFETS ROHS

comchip-technology

CMS2301T-HF

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3