Numer produktu producenta:
TP65H150G4LSG-TR
Product Overview
Producent:
Transphorm
Numer części:
TP65H150G4LSG-TR-DG
Opis:
650 V 13 A GAN FET
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Magazyn:
2884 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12975024
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TP65H150G4LSG-TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Transphorm
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
3-PQFN (8x8)
Pakiet / Walizka
3-PowerTDFN
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1707-TP65H150G4LSG-TRCT
1707-TP65H150G4LSG-TR
1707-TP65H150G4LSG-TRDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TP65H150G4LSG
PRODUCENT
Transphorm
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2939
NUMER CZĘŚCI
TP65H150G4LSG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.18
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMN30UNH
PMN30UN/SOT457/SC-74
NVB095N65S3F
SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
PH1430DLSX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
