Numer produktu producenta:
XPH6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
9174 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12943584
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
XPH6R30ANB,L1XHQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
45A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
XPH6R30
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-XPH6R30ANBL1XHQDKR
264-XPH6R30ANBL1XHQCT
264-XPH6R30ANBL1XHQTR
XPH6R30ANB,L1XHQ(O
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK11S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
TK33S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
