Numer produktu producenta:
TW045N120C,S1F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TW045N120C,S1F-DG
Opis:
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-247
Magazyn:
10 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12987646
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TW045N120C,S1F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 6.7mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
182W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TW045N120C,S1F(S
264-TW045N120CS1F
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT15H017SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
G15N06K
MOSFET N-CH 60V 15A TO-252