Numer produktu producenta:
TTA008B,Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TTA008B,Q-DG
Opis:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
Magazyn:
112 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988717
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TTA008B,Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tray
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
2 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
80 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Moc - Max
1.5 W
Częstotliwość - Przejście
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-225AA, TO-126-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-126N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TTA008B,Q-DG
264-TTA008B,Q
264-TTA008BQ
264-TTA008BQ-DG
Pakiet Standard
250
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TTD1409B,S4X
TRANS NPN DARL 400V 20UA TO220
BC817-25WHE3-TP
TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
MMS9015HE3-H-TP
PNP TRANSISTORS, SOT-23
