Numer produktu producenta:
TPW4R008NH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPW4R008NH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Magazyn:
12891256
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPW4R008NH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
116A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DSOP Advance
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Podstawowy numer produktu
TPW4R008
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPW4R008NHL1QTR
TPW4R008NHL1QCT
TPW4R008NH,L1Q(M
TPW4R008NHL1QDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC8133,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
TPCC8006-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
2SJ380(F)
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS