Numer produktu producenta:
TPW1R005PL,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPW1R005PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Magazyn:
13883 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890354
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPW1R005PL,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
45 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9600 pF @ 22.5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DSOP Advance
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Podstawowy numer produktu
TPW1R005
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPW1R005PLL1QCT
TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
TPW1R005PLL1QDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
TK7A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TK30A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
