Numer produktu producenta:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Magazyn:
7052 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890723
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPN4R712MD,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
42W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPN4R712
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
