Numer produktu producenta:
TPN19008QM,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPN19008QM,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Magazyn:
10887 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12968133
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPN19008QM,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPN19008
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPN19008QMLQTR
264-TPN19008QMLQDKR
TPN19008QM,LQ(S
264-TPN19008QMLQCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MCH6337-TL-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
FDMS5361L-F085
FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
