Numer produktu producenta:
TPHR9203PL1,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPHR9203PL1,LQ-DG
Opis:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Magazyn:
19467 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12964777
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPHR9203PL1,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7540 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPHR9203PL1LQCT
264-TPHR9203PL1LQTR
TPHR9203PL1,LQ(M
264-TPHR9203PL1LQDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHG22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
