Numer produktu producenta:
TPH9R00CQ5,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH9R00CQ5,LQ-DG
Opis:
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
3785 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13005802
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH9R00CQ5,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
64A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
210W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPH9R00CQ5,LQTR-DG
264-TPH9R00CQ5,LQCT-DG
264-TPH9R00CQ5,LQDKR
264-TPH9R00CQ5,LQDKR-DG
264-TPH9R00CQ5LQDKR
TPH9R00CQ5,LQ(M1
264-TPH9R00CQ5,LQCT
264-TPH9R00CQ5LQCT
264-TPH9R00CQ5,LQTR
264-TPH9R00CQ5LQTR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
