Numer produktu producenta:
TPH7R506NH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH7R506NH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 22A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
26395 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890495
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH7R506NH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
22A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2320 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH7R506
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NHL1QDKR
TPH7R506NHL1QTR
TPH7R506NHL1QCT
TPH7R506NHL1Q
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6H19NU,LF
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
