Numer produktu producenta:
TPH4R10ANL,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH4R10ANL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
6246 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890702
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH4R10ANL,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
92A (Ta), 70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6300 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 67W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH4R10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH4R10ANLL1Q-DG
264-TPH4R10ANLL1QDKR
264-TPH4R10ANL,L1QDKR-DG
264-TPH4R10ANLL1QCT
264-TPH4R10ANLL1QTR
264-TPH4R10ANL,L1QDKR
TPH4R10ANLL1Q
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TK6A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
TPC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
