Numer produktu producenta:
TPH4R008QM,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH4R008QM,LQ-DG
Opis:
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Magazyn:
4878 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988710
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH4R008QM,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
86A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 600µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPH4R008QM,LQTR
264-TPH4R008QM,LQCT
264-TPH4R008QMLQTR-DG
264-TPH4R008QM,LQDKR
264-TPH4R008QMLQTR
264-TPH4R008QM,LQTR-DG
TPH4R008QM,LQ(M1
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
