Numer produktu producenta:
TPH3R10AQM,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH3R10AQM,LQ-DG
Opis:
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Magazyn:
7237 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12927268
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH3R10AQM,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7400 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
210W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
TPH3R10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPH3R10AQM,LQCT:264-TPH3R10AQMLQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQTR
264-TPH3R10AQM,LQDKR
264-TPH3R10AQM,LQTR-DG
264-TPH3R10AQM,LQDKR-DG
264-TPH3R10AQMLQDKR
264-TPH3R10AQMLQTR
TPH3R10AQM,LQ(M1
264-TPH3R10AQMLQCT
264-TPH3R10AQM,LQCT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JANTX2N7236
MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
NTR3162PT3G
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
NTTFS4C50NTWG
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
