Numer produktu producenta:
TPH2R003PL,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH2R003PL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
12038 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920887
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH2R003PL,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6410 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
830mW (Ta), 116W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH2R003
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPH2R003PLLQCT
264-TPH2R003PLLQTR
TPH2R003PL,LQ(S
264-TPH2R003PLLQDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
