Numer produktu producenta:
TPH1R306P1,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH1R306P1,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
3143 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12966838
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH1R306P1,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8100 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH1R306
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPH1R306P1L1QCT
264-TPH1R306P1L1QTR
264-TPH1R306P1L1QDKR
TPH1R306P1,L1Q(M
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIJ128LDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3