Numer produktu producenta:
TPH11006NL,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH11006NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
33953 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890903
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH11006NL,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 34W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH11006
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH11006NLLQCT
TPH11006NLLQTR
TPH11006NL,LQ(S
TPH11006NLLQDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3868(Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
TPH12008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
DMN1004UFV-13
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333