Numer produktu producenta:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK8A10K3,S5Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
12889463
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK8A10K3,S5Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
U-MOSIV
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
530 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
18W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK8A10
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK22A10N1,S4X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
29
NUMER CZĘŚCI
TK22A10N1,S4X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.47
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
SSM3K337R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
