Numer produktu producenta:
TK7R0E08QM,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK7R0E08QM,S1X-DG
Opis:
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 64A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
122 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12965603
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK7R0E08QM,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
64A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
87W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK7R0E08QM,S1X(S
264-TK7R0E08QM,S1X
264-TK7R0E08QM,S1X-DG
264-TK7R0E08QMS1X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK2R4A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
TK5R1A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
R6520KNX3C16
650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
