Numer produktu producenta:
TK650A60F,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK650A60F,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
98 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891405
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK650A60F,S4X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSIX
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.16mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1320 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK650A60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK650A60FS4X(S
TK650A60F,S4X(S
TK650A60FS4X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK13A55DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
TK16A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
TK9A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
