Numer produktu producenta:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK5R1P08QM,RQ-DG
Opis:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Magazyn:
15568 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12967433
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK5R1P08QM,RQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
84A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN