Numer produktu producenta:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK58E06N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12891154
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK58E06N1,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
58A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK58E06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDP047N08
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4680
NUMER CZĘŚCI
FDP047N08-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.45
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
