Numer produktu producenta:
TK55S10N1,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK55S10N1,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Magazyn:
3549 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891165
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK55S10N1,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
55A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3280 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
157W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK+
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TK55S10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK55S10N1,LQ(O
TK55S10N1LQTR
TK55S10N1LQDKR
TK55S10N1LQCT
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK6R7P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
TPCA8023-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOP
TPH6R003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
