Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TK4R4P06PL,RQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK4R4P06PL,RQ-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Magazyn:
885 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890822
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK4R4P06PL,RQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
87W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TK4R4P06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
TK4R4P06PL
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK4R4P06PLRQ(S2
TK4R4P06PLRQ
TK4R4P06PL,RQTR
TK4R4P06PLRQCT
TK4R4P06PLRQDKR
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PLRQTR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NP90N055VUK-E1-AY
PRODUCENT
Renesas Electronics Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4797
NUMER CZĘŚCI
NP90N055VUK-E1-AY-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.80
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
SSM3K2615TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP