Numer produktu producenta:
TK4R1A10PL,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK4R1A10PL,S4X-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
48 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920915
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK4R1A10PL,S4X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6320 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
54W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK4R1A10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK4R1A10PL,S4X(S
264-TK4R1A10PLS4X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
