Numer produktu producenta:
TK40S06N1L,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK40S06N1L,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount DPAK+
Magazyn:
700 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12975983
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK40S06N1L,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
88.2W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK+
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TK40S06
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK40S06N1LLQTR
264-TK40S06N1LLQDKR
264-TK40S06N1L,LQDKR
264-TK40S06N1LLQCT
264-TK40S06N1L,LQCT-DG
264-TK40S06N1L,LQDKR-DG
264-TK40S06N1L,LQCT
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSG65N110CE RVG
650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
NTTFS016N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
SQS460EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
