Numer produktu producenta:
TK40J20D,S1F(O
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK40J20D,S1F(O-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 40A (Ta) 260W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Magazyn:
12943191
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK40J20D,S1F(O Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
π-MOSVIII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
44mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4300 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
260W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P(N)
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
TK40J20
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK40J20DS1F(O
Pakiet Standard
100
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
