Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK3A60DA(Q,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
1 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890606
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK3A60DA(Q,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
π-MOSVII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
380 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK3A60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
TK3A60DA
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STF6N62K3
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
963
NUMER CZĘŚCI
STF6N62K3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.83
Rodzaj zastąpienia
Direct
NUMER CZĘŚCI
TK3A60DA(STA4,Q,M)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
47
NUMER CZĘŚCI
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.40
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK