Numer produktu producenta:
TK31V60W,LVQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK31V60W,LVQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Magazyn:
2494 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890856
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK31V60W,LVQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
240W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
4-DFN-EP (8x8)
Pakiet / Walizka
4-VSFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
TK31V60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK31V60WLVQCT
TK31V60W,LVQ(S
TK31V60WLVQTR
TK31V60WLVQDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
