Numer produktu producenta:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK2P60D(TE16L1,NQ)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12891045
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK2P60D(TE16L1,NQ) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
π-MOSVII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TK2P60
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFUC20PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7
NUMER CZĘŚCI
IRFUC20PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.60
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
SSM3K361R,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
