Numer produktu producenta:
TK2A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK2A65D(STA4,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
50 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890976
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK2A65D(STA4,Q,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
π-MOSVII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.26Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
380 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK2A65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK2A65DSTA4QM
TK2A65D(STA4QM)
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K344R,LF
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
TPCA8003-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 35A 8SOP
